

可测参数: Ciss/Coss/Crss/Rg MOS管结电容测试
可测器件: IGBT,二极管,氮化镓、碳化硅 MOSFET 等
测试频率:1MHz
测试电压范围:Vds 0~1200V,Vgs ±25V
信号电压范围:1mV~1000mV
Rg 范围:≤300Ω
测试精度:0.01pf
华科智源栅极电阻/栅极电容测试仪特点:
1,测试速度快。
2,可点测和扫描曲线。
3,测试精度高,测试结果稳定精准。
4,可随时保存数据和波形,可直接生成规格书用的图片或 CSV 描点文件。
| 价格 | ¥1.00 |
| 发货 | 广东深圳市付款后3天内 |
| 品牌 | 华科智源 |
| 型号 | HUSTEC-CV-1200 |
| 可测参数 | Ciss/Coss/Crss/Rg MOS管结电容测试 |
| 可测器件 | IGBT,二极管,氮化镓、碳化硅 MOSFET 等 |
| 库存 | 20台起订1台 |


可测参数: Ciss/Coss/Crss/Rg MOS管结电容测试
可测器件: IGBT,二极管,氮化镓、碳化硅 MOSFET 等
测试频率:1MHz
测试电压范围:Vds 0~1200V,Vgs ±25V
信号电压范围:1mV~1000mV
Rg 范围:≤300Ω
测试精度:0.01pf
华科智源栅极电阻/栅极电容测试仪特点:
1,测试速度快。
2,可点测和扫描曲线。
3,测试精度高,测试结果稳定精准。
4,可随时保存数据和波形,可直接生成规格书用的图片或 CSV 描点文件。
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