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碲化镉靶材CdTe磁控溅射靶材图1

碲化镉靶材CdTe磁控溅射靶材

2020-08-12 18:063400询价
价格:¥1000.00/片
品牌:晶迈中科
规格:根据客户要求定制
起订:1片
供应:10片
发货:21天内
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科研实验专用碲化镉靶材CdTe磁控溅射靶材电子束镀膜蒸发料

产品介绍

  碲化镉(CdTe)碲化镉作为一种重要的Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体材料,晶体结构为闪锌矿型。用作碲化镉太阳能电磁;碲化镉半导体可用于光谱分析、红外电光调制器、红外探测器、红外透镜和窗口、磷光体、常温γ射线探测器、接近可见光区的发光器件等。

产品参数
中文名 碲化镉      化学式 CdTe                   分子量 240.01
熔点 1041℃        相对密度6.2015g/cm3    纯度  99.99%
支持靶材定制,请提供靶材产品的元素、比例(重量比或原子比)、规格,我们会尽快为您报价!! 
服务项目:靶材成份比例、规格、纯度均可按需定制。科研单位货到付款,质量保证,售后无忧!
产品附件:发货时产品附带装箱单/质检单/产品为真空包装
适用仪器:多种型号磁控溅射、热蒸发、电子束蒸发设备 
质量控制:严格控制生产工艺,采用辉光放电质谱法GDMS或ICP光谱法等多种检测手段,分析杂质元素含量保证材料的高纯度与细小晶粒度;可提供质检报告。 
加工流程:熔炼→提纯→锻造→机加工→检测→包装出库
       陶瓷化合物靶材本身质脆且导热性差,连续长时间溅射易发生靶裂情况,绑定背靶后,可提高化合物靶材的导热性能,提高靶材的使用寿命。我们强烈建议您,选购陶瓷化合物靶材一定要绑定铜背靶!
       我公司采用高纯铟作为焊料,铟焊厚度约为0.2mm,高纯无氧铜作为背靶。
       注意:高纯铟的熔点约为156℃,靶材工作温度超过熔点会导致铟熔化!绑定背靶不影响靶材的正常使用!
       建议:陶瓷脆性靶材、烧结靶材,高功率下溅射易碎,建议溅射功率不超过3W/cm2。

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